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NE3512S02-T1C-A中文资料

  • 大小：791KB
  • 厂家：
  • 描述：RF Mosfet HFET 2V 10mA 12GHz 13.5dB S02
  • 标准包装：2,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：RF FET
  • 系列：-
  • 晶体管类型：HFET
  • 频率：12GHz
  • 增益：13.5dB
  • 电压 - 测试：2V
  • 额定电流：70mA
  • 噪音数据：0.35dB
  • 电流 - 测试：10mA
  • 功率 - 输出：-
  • 电压 - 额定：4V
  • 封装/外壳：4-SMD，扁平引线
  • 供应商设备封装：S02
  • 包装：带卷 (TR)

NE3512S02-T1C-A供应商

更新时间:2023-01-10 18:23:51
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